[发明专利]使用打磨参考单元的MRAM电路及其读写方法有效
| 申请号： | 201810088284.2 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110097904B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;郭一民;王春林 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用打磨参考单元的MRAM电路，包括：一MRAM阵列，所述MRAM阵列具有参考单元阵列，所述参考单元阵列具有多列的参考单元；其特征在于，还包括写所述参考单元的写电路、以及控制所述写电路的随机控制电路。一种使用打磨参考单元的MRAM电路的读写方法，其中，还包括一参考单元寄存器，所述MRAM阵列中每一行具有N个字，每一行对应一组所述参考单元阵列中的所述参考单元；所述参考单元寄存器记录所述参考单元的配置信息；进行所述MRAM阵列中的存储单元写操作，同时所述随机控制电路以1/N的概率触发所述参考单元参考单元进行写操作。存储单元写操作，参考单元随机写操作。参考单元电阻随存储单元漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 打磨 参考 单元 mram 电路 及其 读写 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用打磨参考单元的MRAM电路，包括：一MRAM阵列，所述MRAM阵列具有参考单元阵列，所述参考单元阵列具有多列的参考单元；其特征在于，还包括写所述参考单元的写电路、以及控制所述写电路的随机控制电路。
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