[发明专利]一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物在审
| 申请号： | 201810082642.9 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110095952A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 曹立志;王新龙;支肖琼;杨玉川;周友 | 申请（专利权）人： | 张家港奥擎电子化学有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 肖威;刘金辉 |
| 地址： | 215634 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物，其包含氧化剂、多胺化合物、铵盐和腐蚀抑制剂。本发明组合物可有效移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物，而不对半导体晶片结构上暴露的金属铜和介电材料(即低k材料)产生明显腐蚀。此外，本发明的移除组合物可在比较大的温度范围内发挥作用，具有较大的操作窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻残留物 氮化钛 硬掩模 选择性移除 氧化剂 半导体晶片 多胺化合物 腐蚀抑制剂 移除组合物 操作窗口 介电材料 低k材料 金属铜 移除 铵盐 腐蚀 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种移除组合物，其包含氧化剂、多胺化合物、铵盐和腐蚀抑制剂。
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