[发明专利]一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物在审
申请号: | 201810082642.9 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN110095952A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 曹立志;王新龙;支肖琼;杨玉川;周友 | 申请(专利权)人: | 张家港奥擎电子化学有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 肖威;刘金辉 |
地址: | 215634 江苏省苏州市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻残留物 氮化钛 硬掩模 选择性移除 氧化剂 半导体晶片 多胺化合物 腐蚀抑制剂 移除组合物 操作窗口 介电材料 低k材料 金属铜 移除 铵盐 腐蚀 暴露 | ||
1.一种移除组合物,其包含氧化剂、多胺化合物、铵盐和腐蚀抑制剂。
2.如权利要求1所述的移除组合物,其中所述氧化剂选自如下组:过氧化氢、过硫酸铵、过氧苯甲酸、高碘酸、高氯酸、过乙酸及其组合;优选地,所述氧化剂为过氧化氢。
3.如权利要求1或2所述的移除组合物,其中所述多胺化合物选自如下组:乙二胺、1,3-二氨基丙烷、六亚甲基二胺、腐胺、尸胺、亚精胺、精胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四甲基乙二胺、五甲基二亚乙基三胺及其组合;优选地,所述多胺化合物为五甲基二亚乙基三胺或二亚乙基三胺。
4.如权利要求1-3中任一项所述的移除组合物,所述铵盐选自柠檬酸铵、乙酸铵、丙二酸铵、乙二酸铵、乳酸铵、亚氨基二乙酸铵、氯化铵、溴化铵、硫酸铵、磷酸铵及其组合;优选地,所述铵盐为柠檬酸铵、乙酸铵、乙二酸铵或磷酸铵。
5.如权利要求1-4中任一项所述的移除组合物,所述腐蚀抑制剂选自:苯并三唑(BTA)、1,2,4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-甲基苯并三唑、5-苯基苯并三唑、5-硝基苯并三唑、苯并三唑羧酸、1-氨基-1,2,4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、苯并咪唑、吡唑及其组合;优选地,所述腐蚀抑制剂为苯并三唑、1,2,4-三唑或5-甲基苯并三唑。
6.如权利要求1-5中任一项所述的移除组合物,其中所述组合物进一步包含溶剂。
7.如权利要求6所述的溶剂,其中所述溶剂为水,其可任选包含有机溶剂。
8.如权利要求1-7中任一项所述的移除组合物,其中所述氧化剂含量为0.1-50重量%,优选为0.5-40重量%,更优选为0.5-30重量%,最优选为0.5-15重量%,例如为1-10%;所述多胺化合物的含量为0.0001-50重量%,优选为0.001-40重量%,更优选为0.05-30重量%,更优选为0.1-30重量%,更优选为1-30重量%,最优选为5-20重量%;所述铵盐含量为0.0001-50重量%,优选为0.001-30重量%,更优选为0.05-20重量%,更优选为0.1-15重量%,更优选为1-15重量%,最优选为2-10重量%;所述腐蚀抑制剂含量为0.0001-10重量%,优选为0.001-10重量%,更优选为0.05-5重量%,更优选为0.01-5重量%,最优选为0.1-2重量%,各自基于所述组合物的总重量。
9.如权利要求1-8中任一项所述的移除组合物,其中所述明组合物的pH为8以上。
10.如权利要求1-9中任一项所述的移除组合物用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的用途。
11.一种选择性移除晶片上的氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的方法,包括:
(1)提供含有氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的晶片,
(2)使所述晶片与如权利要求1-9中任一项所述的移除组合物接触。
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