[发明专利]用于选择性移除硬遮罩的移除组合物

摘要

本公开涉及移除组合物，所述移除组合物用于从半导体基板相对于低介电常数介电材料选择性移除基本上由TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti以及Ti和W的合金组成的硬遮罩。所述半导体基板包含低介电常数介电材料，所述低介电常数介电材料在其上具有TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti或者Ti或W的合金的硬遮罩。所述移除组合物包含0.1重量％至90重量％的氧化剂；0.0001重量％至50重量％的羧酸盐；以及补足100重量％的所述移除组合物的所述剩余部分，包括去离子水。

主权项

1.一种移除组合物，所述移除组合物用于从半导体基板相对于低介电常数介电材料选择性移除基本上由TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、以及Ti组成的硬遮罩，所述半导体基板包含所述低介电常数介电材料，所述低介电常数介电材料在其上具有TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti、或者Ti或W的合金的硬遮罩，所述移除组合物包含：(a)0.1重量％至90重量％的氧化剂；(b)0.0001重量％至50重量％的羧酸盐；以及(c)补足100重量％的所述移除组合物的剩余部分，包括去离子水；所述移除组合物还包含：0.0001重量％至50重量％的金属抗蚀剂或多种金属抗蚀剂的混合物；其中所述金属抗蚀剂选自苯并三唑与吡唑的混合物、吡咯及其衍生物、吡唑及其衍生物或咪唑及其衍生物。