[发明专利]使用多重对称阵列参考单元的MRAM芯片及检测方法在审
| 申请号： | 201810070105.2 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110070899A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 夏文斌;戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种使用多重对称阵列参考单元的MRAM芯片，其中，包括：两MRAM阵列，每一所述MRAM阵列对应一行地址编码器、列地址编码器，两所述MRAM阵列共用一读写电路；所述MRAM阵列中插入多行参考单元行，所述多行参考单元行等分所述MRAM阵列。本发明通过两个阵列中每一个阵列插入多行参考单元，根据实际对面阵列被读行的位置，选出一行参考行，参考行具有多个参考字可以选择，使得参考单元占据的面积大幅度缩小。芯片面积使用率提高，且由于使用数目更小的参考单元，从而参考字的不良单元造成不良品的几率减小，有助于提高产品良率。为控制此类问题的电路也大幅度简化。 | ||
| 搜索关键词： | 参考单元 多行 对称阵列 芯片 参考行 地址编码器 面积使用率 不良单元 产品良率 读写电路 参考 编码器 不良品 列地址 减小 电路 检测 占据 | ||
【主权项】：
1.一种使用多重对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，包括：两MRAM阵列，每一所述MRAM阵列对应一行地址编码器、列地址编码器，两所述MRAM阵列共用一读写电路；所述MRAM阵列中插入多行参考单元行，所述多行参考单元行等分所述MRAM阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810070105.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
