[发明专利]一种使用加强自旋霍尔效应的磁性随机存储器在审
| 申请号： | 201810055463.6 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108400236A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 郭一民;戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用加强自旋霍尔效应的磁性随机存储器，包括：磁性隧道结、自旋霍尔效应层、自旋霍尔效应加强层、读写电路。自旋霍尔效应层位于磁性隧道结和自旋霍尔效应加强层之间，磁性隧道结由参考层、隧道势垒层、记忆层组成，参考层的磁化方向与参考层的延伸面垂直，记忆层的磁化方向与记忆层的延伸面垂直，记忆层紧邻自旋霍尔效应层。自旋霍尔效应层采用过渡族金属层，过渡族金属层选自铂、金、银、钽、钨、钯、铪、铱、锇、铼之中的一种。自旋霍尔效应加强层采用软磁材料层。读写通过不同的方式读写，不用担心读造成不稳定。软磁材料加强了自旋霍尔效应，使得可以利用很小的电流产生自旋霍尔效应，再通过很小的垂直方向电流完成写操作。 | ||
| 搜索关键词： | 霍尔效应 自旋 记忆层 磁性隧道结 参考层 加强层 磁性随机存储器 过渡族金属 磁化方向 延伸面 读写 垂直 软磁材料层 隧道势垒层 电流产生 读写电路 软磁材料 金 银 写操作 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器的存储单元，其特征在于，所述存储单元包括：磁性隧道结、自旋霍尔效应层、自旋霍尔效应加强层，所述自旋霍尔效应层位于所述磁性隧道结和所述自旋霍尔效应加强层之间；所述磁性隧道结由参考层、隧道势垒层、记忆层组成，所述参考层的磁化方向与所述参考层的延伸面垂直，所述记忆层的磁化方向与所述记忆层的延伸面垂直，所述记忆层紧邻所述自旋霍尔效应层。
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