[发明专利]瞬态电压抑制器

摘要

一种瞬态电压抑制器，包括基板、第一阱区、第二阱区、第一电极、第二电极、掺杂区及重掺杂区。基板具有表面。第一阱区形成于基板中且邻近表面。第二阱区形成于第一阱区中且邻近表面。第一电极形成于第二阱区中且邻近表面。第二电极形成于第一阱区中且邻近表面。第一阱区及第一电极具有第一电性。第二阱区及第二电极具有第二电性。掺杂区形成于第一电极与第二电极之间且邻近表面。掺杂区分别电性连接第一阱区与第二阱区。重掺杂区形成于掺杂区下方。重掺杂区具有与掺杂区相同的电性且重掺杂区的掺杂浓度高于掺杂区的掺杂浓度。本发明可有效降低瞬态电压抑制器的整体电阻。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，上述瞬态电压抑制器包括：一基板，具有一表面；一第一阱区，形成于上述基板中且邻近上述表面，上述第一阱区具有一第一电性；一第二阱区，形成于上述第一阱区中且邻近上述表面，上述第二阱区具有一第二电性；一第一电极，形成于上述第二阱区中且邻近上述表面，上述第一电极具有上述第一电性；一第二电极，形成于上述第一阱区中且邻近上述表面，上述第二电极具有上述第二电性；一掺杂区，形成于上述第一电极与上述第二电极之间且邻近上述表面，上述掺杂区分别电性连接上述第一阱区与上述第二阱区；以及一重掺杂区，形成于上述掺杂区下方，上述重掺杂区具有与上述掺杂区相同的电性且上述重掺杂区的掺杂浓度高于上述掺杂区的掺杂浓度。