[发明专利]存储器及其工作方法和形成方法有效
| 申请号： | 201810040571.6 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN110047833B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 廖淼;潘梓诚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器及其工作方法和形成方法，其中，所述存储器包括：位于所述衬底中的第一阱区，所述第一阱区中具有第一掺杂离子；位于所述第一阱区顶部表面的第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；位于所述第二阱区表面的栅极结构，所述栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；位于所述栅极结构第一侧的第二阱区中的第一掺杂区，所述第一掺杂区中具有第三掺杂离子，所述第三掺杂离子的导电类型与所述第二掺杂离子的导电类型相反；与所述第二阱区电连接的源线。所述存储器的能耗较低。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 工作 方法 形成 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底中的第一阱区，所述第一阱区中具有第一掺杂离子；位于所述第一阱区顶部表面的第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；位于所述第二阱区表面的栅极结构，所述栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；位于所述栅极结构第一侧的第二阱区中的第一掺杂区，所述第一掺杂区中具有第三掺杂离子，所述第三掺杂离子的导电类型与所述第二掺杂离子的导电类型相反；与所述栅极结构电连接的字线；与所述第一掺杂区电连接的位线；与所述第二阱区电连接的源线。
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