[发明专利]存储器及其工作方法和形成方法

说明书

一种存储器及其工作方法和形成方法，其中，所述存储器包括：位于所述衬底中的第一阱区，所述第一阱区中具有第一掺杂离子；位于所述第一阱区顶部表面的第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；位于所述第二阱区表面的栅极结构，所述栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；位于所述栅极结构第一侧的第二阱区中的第一掺杂区，所述第一掺杂区中具有第三掺杂离子，所述第三掺杂离子的导电类型与所述第二掺杂离子的导电类型相反；与所述第二阱区电连接的源线。所述存储器的能耗较低。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器及其工作方法和形成方法。

背景技术

随着信息技术的发展，存储信息量急剧增加。存储信息量的增加促进了存储器的飞速发展，同时也对存储器的性能提出了更高的要求。

由于静态存储器(SRAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，功耗较小，使得SRAM的应用越来越广泛。传统的SRAM的存储单元一般由六个MOS晶体管或四个MOS晶体管组成，存储单元中MOS晶体管的数量较多，导致MOS晶体管的体积较大。为了减小存储器的体积，提高集成度，提出了一种单晶体管静态存储器(1T SRAM)。

然而，现有的单晶体管静态存储器的能耗较大。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种存储器及其工作方法和形成方法，能够降低存储器的能耗。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器，包括：衬底；位于所述衬底中的第一阱区，所述第一阱区中具有第一掺杂离子；位于所述第一阱区顶部表面的第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；位于所述第二阱区表面的栅极结构，所述栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；位于所述栅极结构第一侧的第二阱区中的第一掺杂区，所述第一掺杂区中具有第三掺杂离子，所述第三掺杂离子的导电类型与所述第二掺杂离子的导电类型相反；与所述栅极结构电连接的字线；与所述第一掺杂区电连接的位线；与所述第二阱区电连接的源线。

可选的，所述第一掺杂离子为N型离子，所述第二掺杂离子为P型离子，所述第三掺杂离子为N型离子；或者，所述第一掺杂离子为P型离子，所述第二掺杂离子为N型离子，所述第三掺杂离子为P型离子。

可选的，所述存储器包括多个存储单元，所述存储单元包括：所述第一阱区、第二阱区、栅极结构和所述第一掺杂区。

可选的，多个存储单元排列为存储阵列；所述存储阵列中同一行的存储单元的栅极结构通过同一字线相互电连接；所述存储阵列中同一列的存储单元的第一掺杂区通过同一位线相互电连接；所述存储阵列中同一行的存储单元的第二掺杂区通过同一源线相互电连接。

可选的，还包括：位于所述栅极结构第二侧的第二阱区中的第二掺杂区，所述第二掺杂区中具有第四掺杂离子，所述第四掺杂离子与第二掺杂离子的导电类型相同，且所述第二掺杂区中第四掺杂离子的浓度大于所述第二阱区中第二掺杂离子的浓度；所述源线与所述第二掺杂区电连接。

可选的，还包括：覆盖所述栅极结构、第二掺杂区和第一掺杂区的第一介质层；位于所述第一介质层中的第一插塞，所述第一插塞贯穿所述第一介质层，且与所述第一掺杂区接触，所述位线位于所述第一介质层和所述第一插塞表面；位于所述位线和第一介质层表面的第二介质层；自所述第一介质层贯穿至所述第二介质层的第二插塞，所述第二插塞与所述第二掺杂区接触；所述源线位于所述第二插塞和所述第二介质层表面。