[发明专利]存储器及其工作方法和形成方法

权利要求书

1.一种存储器的工作方法，其特征在于，包括：

提供存储器，所述存储器包括：衬底；位于所述衬底中的第一阱区，所述第一阱区中具有第一掺杂离子；位于所述第一阱区顶部表面的第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；位于所述第二阱区表面的栅极结构，所述栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；位于所述栅极结构第一侧的第二阱区中的第一掺杂区，所述第一掺杂区中具有第三掺杂离子，所述第三掺杂离子的导电类型与所述第二掺杂离子的导电类型相反；与所述栅极结构电连接的字线；与所述第一掺杂区电连接的位线；与所述第二阱区电连接的源线；

对所述第一阱区施加第一电位，使所述第一阱区与第二阱区之间的PN结反向偏置；

对所述存储器进行写入操作，所述写入操作的方法包括：对所述位线施加第二电位，使第一掺杂区与第二阱区之间的电压为第一电压；对所述字线施加第三电位，使栅极结构与第二阱区之间的电压为第二电压，所述第二电压与第一电压的正负相同；

所述写入操作之后，对所述存储器进行读取操作，所述读取操作的方法包括：对所述位线施加第一读取电位；对所述源线施加第二读取电位，所述第一读取电位和第二读取电位使第一掺杂区与第二阱区之间的PN结正向偏置；对所述位线施加第一读取电位之后，对所述源线施加第二读取电位之后，通过所述位线中的读取电流，获取读取数据。

2.如权利要求1所述的存储器的工作方法，其特征在于，所述第一掺杂离子为N型离子，所述第二掺杂离子为P型离子，所述第三掺杂离子为N型离子；

或者，所述第一掺杂离子为P型离子，所述第二掺杂离子为N型离子，所述第三掺杂离子为P型离子。

3.如权利要求1所述的存储器的工作方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元，所述存储单元包括：所述第一阱区、第二阱区、栅极结构和所述第一掺杂区。

4.如权利要求3所述的存储器的工作方法，其特征在于，多个存储单元排列为存储阵列；所述存储阵列中同一行的存储单元的栅极结构通过同一字线相互电连接；所述存储阵列中同一列的存储单元的第一掺杂区通过同一位线相互电连接；所述存储阵列中同一行的存储单元的第二掺杂区通过同一源线相互电连接。

5.如权利要求1所述的存储器的工作方法，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构第二侧的第二阱区中的第二掺杂区，所述第二掺杂区中具有第四掺杂离子，所述第四掺杂离子与第二掺杂离子的导电类型相同，且所述第二掺杂区中第四掺杂离子的浓度大于所述第二阱区中第二掺杂离子的浓度；

所述源线与所述第二掺杂区电连接。

6.如权利要求5所述的存储器的工作方法，其特征在于，还包括：覆盖所述栅极结构、第二掺杂区和第一掺杂区的第一介质层；位于所述第一介质层中的第一插塞，所述第一插塞贯穿所述第一介质层，且与所述第一掺杂区接触，所述位线位于所述第一介质层和所述第一插塞表面；位于所述位线和第一介质层表面的第二介质层；自所述第一介质层贯穿至所述第二介质层的第二插塞，所述第二插塞与所述第二掺杂区接触；所述源线位于所述第二插塞和所述第二介质层表面。

7.如权利要求1所述的存储器的工作方法，其特征在于，所述第一掺杂离子为N型离子，所述第一电位大于所述第二阱区的电位；

或者，所述第一掺杂离子为P型离子，所述第一电位小于所述第二阱区的电位。

8.如权利要求1所述的存储器的工作方法，其特征在于，所述写入操作的方法还包括：使所述源线悬空，或者对所述源线施加第四电位，所述第四电位为零电位；

当所述第一掺杂离子为N型离子时，所述第一电位为1.8V～2.2V；

所述第二电位为0.7V～0.9V，所述第三电位为0.7V～0.9V；或者，所述第二电位为-0.55V～-0.45V，所述第三电位为-0.55V～-0.45V。