[发明专利]减薄后的硅片背面注入工艺中的传送方法

摘要

本发明公开了一种减薄后的硅片背面注入工艺中的传送方法包括：步骤一、提供一采用太鼓减薄工艺减薄后的硅片。步骤二、将硅片的正面放置到静电吸盘上；对静电吸盘做如下设置：步骤21、对放电针位置进行设置，使放电针直接接触支撑环，确保放电针完全接触硅片正面的非绝缘位置；步骤22、按照减少初次弹跳量和消除二次弹跳量的方法设置静电吸盘的电源电压模式。步骤三、按照设定的电源电压模式设定电源电压并完成背面离子注入。步骤四、进行取片。本发明能减少初次弹跳量和消除二次弹跳量以及能消除取片前的静电残余，最后能防止硅片在背面离子注入完成后传送过程中产生掉片。

主权项

1.一种减薄后的硅片背面注入工艺中的传送方法，其特征在于，包括：步骤一、提供一减薄后的硅片，在所述硅片的正面形成有正面工艺结构，所述正面工艺结构中包括最顶层的聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层的打开区域形成所述正面工艺结构的电极区域；所述硅片采用太鼓减薄工艺减薄并在所述硅片的外侧边缘形成一个由未被减薄硅组成的支撑环；步骤二、将所述硅片的正面放置到离子注入机的注入腔体的静电吸盘上；对所述静电吸盘做如下设置：步骤21、对所述静电吸盘的放电针位置进行设置，使得所述硅片的正面放置在所述静电吸盘上后所述放电针直接接触所述支撑环，确保所述放电针完全接触所述硅片正面的非绝缘位置；步骤22、按照减少初次弹跳量和消除二次弹跳量的方法设置所述静电吸盘的电源电压模式；所述初次弹跳量为电源电压从第一值关闭到0V时所述硅片的弹跳量，所述二次弹跳量为电源电压从0V降低到第二值时所述硅片的弹跳量；所述第一值为使所述硅片进行吸附所对应的电源电压值，所述第二值为所述第一值的反向值；通过减少所述第一值来减少所述初次弹跳量，通过取消所述第二值的设置来消除所述二次弹跳量；步骤三、按照设定的电源电压模式设定所述电源电压，在所述电源电压为第一值的时间内完成背面离子注入；在所述背面离子注入完成后，将所述电源电压直接关闭为0V；步骤四、进行取片，利用所述放电针直接接触所述支撑环对应的硅表面的特点将所述电源电压关闭后所述硅片背面的静电完全去除，防止静电残留导致的取片过程中产生掉片。