[发明专利]形成金属-二维过渡族金属化合物材料良好欧姆接触的方法有效
| 申请号： | 201810010472.3 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108364863B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 包文中;宋雄飞;昝武;许浒;周鹏;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属‑二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属‑二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属‑二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 二维 过渡 化合物 材料 良好 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属‑二维过渡族金属半导体材料良好欧姆接触的方法，包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜，其特征在于，具体步骤如下：（1）在衬底上淀积一层金属前驱体；（2）在金属前驱体上淀积金属电极的粘附层以及金属电极；（3）形成过渡族金属化合物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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