[发明专利]光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器有效
| 申请号： | 201810010147.7 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN110011182B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 桥本玲;斋藤真司;角野努;金子桂;甲斐康伸;冈田直忠 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器。光子晶体内置基板具有化合物半导体基板、电介质层、以及第1半导体层。所述电介质层设置于所述化合物半导体基板的表面，配置到二维衍射光栅的各个晶格结点。各电介质层具有相对于所述二维衍射光栅的边中的至少1个边非对称的形状，且具有比所述化合物半导体基板的折射率低的折射率。所述半导体层叠体覆盖所述电介质层和所述化合物半导体基板的所述表面且具有平坦的第1面，构成所述第1面的层包含可与构成所述化合物半导体基板的材料进行晶格匹配的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 晶体 内置 及其 制造 方法 以及 发光 量子 级联 激光器 | ||
【主权项】：
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