[发明专利]具有直接互连能力的低电压、低功耗MEMS传感器在审

专利信息
申请号: 201780085521.3 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN110546775A 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 约瑟夫·哈克;桑迪普·阿卡拉杰;亚努什·布莱泽克;布莱恩·毕考肖 申请(专利权)人: 艾科索成像公司
主分类号: H01L41/047 分类号: H01L41/047;H01L41/053;H01L41/311;H04R17/00;H04R31/00
代理公司: 31323 上海元好知识产权代理有限公司 代理人: 徐雯琼;章丽娟<国际申请>=PCT/US
地址: 美国加利福尼亚雷*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一收发器(210),包含pMUT元件(302)的阵列,其中每个pMUT元件(302)包含:基板(1030);薄膜(1034),悬置于所述基板;底电极(1002),设置在所述薄膜(1034)上;压电层(1010),设置在所述底电极(1002)上;以及第一电极(1008),设置在所述压电层(1010)上。每个pMUT元件展现一个或更多个振动模式。
搜索关键词: 底电极 压电层 基板 薄膜 第一电极 振动模式 收发器
【主权项】:
1.一种收发器,其特征在于,包含:/n元件的阵列,其中每个元件形成于其上;/n基板:/n薄膜,悬置于所述基板;/n底电极,设置在所述薄膜上;/n压电层,设置在所述底电极上;以及/n第一电极,设置在所述压电层上,/n其中每个元件展现一个或更多个振动模式。/n
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