[发明专利]具有直接互连能力的低电压、低功耗MEMS传感器在审
| 申请号： | 201780085521.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110546775A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·哈克;桑迪普·阿卡拉杰;亚努什·布莱泽克;布莱恩·毕考肖 | 申请（专利权）人： | 艾科索成像公司 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;H01L41/053;H01L41/311;H04R17/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 31323 上海元好知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐雯琼;章丽娟<国际申请>=PCT/US |
| 地址： | 美国加利福尼亚雷*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 底电极 压电层 基板 薄膜 第一电极 振动模式 收发器 | ||
1.一种收发器，其特征在于，包含：
元件的阵列，其中每个元件形成于其上；
基板：
薄膜，悬置于所述基板；
底电极，设置在所述薄膜上；
压电层，设置在所述底电极上；以及
第一电极，设置在所述压电层上，
其中每个元件展现一个或更多个振动模式。
2.一种收发器，其特征在于，包含：
基板；
薄膜，悬置于所述基板；
底电极，设置在所述薄膜上；
压电层，设置在所述底电极上；
第一顶电极及第二顶电极，设置在所述压电层上，所述第一顶电极是电性隔离于所述第二顶电极；且
所述压电层包含位在所述第一顶电极下并且向第一方向被极化的第一部分，以及位在所述第二顶电极下并且向与所述第一方向相反的第二方向被极化的第二部分。
3.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，更包含：
电路，用以生成具有上升和下降边缘的信号脉冲，所述上升和下降边缘彼此对称，且波形的高部分及低部分基本相同；以及
导体，电性耦合至所述电路及所述底电极，以使所述信号脉冲通过所述导体发送至所述底电极。
4.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，其中连接至每个压电元件的其中一个电极的所述信号脉冲的峰-峰振幅是小于11 V。
5.如权利要求4所述的传感器，其特征在于，其中每个压电元件的另一个电极是连接至直流偏置电压。
6.如权利要求5所述的传感器，其特征在于，其中所述信号脉冲包含在二级之间转换的单极信号及三级信号中的至少一个，其中所述信号脉冲是连接至像素阵列的发送驱动器的输出
7.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，更包含：
第一导体，配置以耦合所述第一顶电极至接地或直流偏置电压；以及
第二导体，配置以耦合所述第二顶电极至接地或直流偏置电压。
8.如权利要求2所述的收发器，其特征在于，更包含第三顶电极，设置在所述压电层上且空间上隔离于所述第一顶电极及所述第二顶电极。
9.如权利要求8所述的收发器，其特征在于，其中所述压电层包含位在所述第三顶电极下的第三部分，且所述第三部分向所述第一方向及所述第二方向中的一个方向被极化。
10.如权利要求1所述的收发器，其特征在于，其中所述压电层包含PZT、KNN、PZT-N、PMT-Pt、AIN、Sc-AIN、ZnO、PVDF及LiNiO3中至少一个。
11.如权利要求1所述的收发器，其特征在于，其中所述底电极是电性连接至由金属形成的信号导体，且所述金属是沉积在沉积于所述基板上的TiO2层上。
12.如权利要求1所述的收发器，其特征在于，其中所述压电层的厚度为2μm或更小。
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