[发明专利]用于负型可显影光致抗蚀剂的计算机建模及模拟的改进方法有效
| 申请号： | 201780071799.5 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN110012672B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | J·J·比亚福尔;M·D·史密斯;T（J）·S·格雷夫斯;D·A·布兰肯希普;A·瓦利奥普雷 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，一种方法可包含改进光致抗蚀剂的显影过程。所述方法可包含模拟光致抗蚀剂的负型显影过程。所述方法可包含确定显影剂与可溶性光致抗蚀剂表面的反应。确定所述显影剂的所述反应可包含将处于反应级的幂的反应速率常数应用到嵌段聚合物浓度，以产出包括溶解受限显影状态的可溶性抗蚀剂的抗蚀剂溶解速率。所述方法可包含确定所述显影剂到经曝光且部分可溶性抗蚀剂中的通量。确定所述显影剂的所述通量可包含取决于所述嵌段聚合物浓度而将所述显影剂的向量值扩散系数应用到显影剂浓度梯度，以产出包括膨胀受控显影状态的不溶性抗蚀剂的膨胀速率。所述方法可包含优化照明源及全芯片上的掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 负型可 显影 光致抗蚀剂 计算机 建模 模拟 改进 方法 | ||
【主权项】：
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