[发明专利]高速、低功率自旋轨道矩(SOT)辅助的自旋转移矩磁随机访问存储器(STT-MRAM)位单元阵列在审
| 申请号： | 201780051818.8 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109643567A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | J·J·坎;朴禅度;王培远;金晟烈;康相赫 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张曦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种包括若干位单元的磁随机访问存储器(MRAM)阵列。位单元中的每个位单元包括垂直型磁隧道结(pMTJ)—具有垂直各向异性的磁隧道结，其包括参考层、支撑参考层的势垒层、和支撑势垒层的自由层。自旋霍尔导电材料层支撑自由层。驱动器可操作为设置多个位单元中的至少一个位单元的状态，驱动器被配置为沿自旋霍尔导电材料驱动电流，以经由自旋霍尔效应生成流过pMTJ的自旋轨道转移SOT电流，并且同时驱动另一电流通过pMTJ和自旋霍尔导电材料层的一部分，该另一电流利用参考层生成通过pMTJ的自旋转移矩STT电流。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 位单元 参考层 霍尔 磁随机访问存储器 驱动器 导电材料层 自旋转移矩 磁隧道结 势垒层 自由层 支撑 位单元阵列 导电材料 电流利用 电流通过 个位单元 轨道转移 霍尔效应 驱动电流 垂直型 低功率 辅助的 可操作 垂直 驱动 轨道 配置 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机访问存储器(MRAM)阵列，包括：多个位单元，所述多个位单元中的每个位单元包括：垂直型磁隧道结(pMTJ)，包括参考层、支撑所述参考层的势垒层、和支撑所述势垒层的自由层；以及自旋霍尔导电材料层，支撑所述自由层；以及驱动器，可操作为通过驱动增大的自旋转移矩(STT)电流经过所述自旋霍尔导电材料层和所述pMTJ，而使用所述增大的STT电流和来自所述自旋霍尔导电材料层的自旋霍尔效应，来设置所述多个位单元中的至少一个位单元的状态，以使得自旋电流从所述参考层和所述自旋霍尔导电材料层生成。
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