[发明专利]激光退火装置、带晶化膜基底的检查方法及半导体器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201780051430.8 申请日: 2017-07-14
公开(公告)号: CN109643647B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 大森贤一;郑石焕;佐藤亮介;町田政志 申请(专利权)人: JSW阿克迪纳系统有限公司
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/66;H01L29/786
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 日本国神奈川县横*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据本发明实施方式的激光退火装置(1)包括:激光光源(11),用于发出激光光束(L1),以使得基底(100)上的非晶膜(101a)结晶化并形成多晶硅膜(101b);投影透镜(13),用于会聚所述激光光束,以对硅膜(101)进行照射;探测光源,用于发出探测光束(L2);光电检测器(25),用于对透过硅膜(101)的探测光束(L3)进行检测;处理装置(26),用于计算所述光电检测器所输出的检测信号的检测值的标准差,并根据该标准差,判断所述硅膜(101)的结晶状态。
搜索关键词: 激光 退火 装置 带晶化膜 基底 检查 方法 半导体器件 制造
【主权项】:
1.一种具有晶化膜的基底的检查方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(A)以激光光束照射一基底上的非晶膜,以使得所述非晶膜结晶化并形成晶化膜;(B)以探测光束照射所述晶化膜;(C)以一光电检测器检测透过所述晶化膜的所述探测光束;(D)改变所述探测光束在所述晶化膜上的照射位置,以获得所述光电检测器的检测信号的多个检测值;以及(E)根据所述多个检测值的标准差,判断所述晶化膜的结晶状态。
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