[实用新型]一种化合物半导体的金属化结构有效

专利信息
申请号: 201720307956.5 申请日: 2017-03-28
公开(公告)号: CN206961837U 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 颜添和 申请(专利权)人: 颜添和
主分类号: H01L31/0203 分类号: H01L31/0203;H01L31/09
代理公司: 北京方向标知识产权代理事务所(普通合伙)11636 代理人: 段斌
地址: 上海市浦东新区紫*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种化合物半导体的金属化结构,其结构包括环氧树脂透镜、导线、反射碗、半导体芯片、阴极接柱基底、阳极接柱基底、底板、阴极接柱、阳极接柱,反射碗设于半导体芯片下方,半导体芯片设于阳极接柱基底上方,阳极接柱基底设于底板上方,底板设于阴极接柱上方,阳极接柱设于阳极接柱基底下方,半导体芯片设有半导体芯片电路板、半导体芯片引脚,半导体芯片电路板与半导体芯片引脚固定连接,本实用新型一种化合物半导体的金属化结构,通过设置半导体芯片,实现了能锁定程序编写程序录入到芯片中,这种化合物半导体的金属化特性使得半导体跨度到化学领域中也能运用,不只是停留物理领域。
搜索关键词: 一种 化合物 半导体 金属化 结构
【主权项】:
一种化合物半导体的金属化结构,其特征在于:其结构包括环氧树脂透镜(1)、导线(2)、反射碗(3)、半导体芯片(4)、阴极接柱基底(5)、阳极接柱基底(6)、底板(7)、阴极接柱(8)、阳极接柱(9),所述环氧树脂透镜(1)设于底板(7)上方,所述记导线(2)设于反射碗(3)上方,所述反射碗(3)设于半导体芯片(4)下方,所述半导体芯片(4)设于阳极接柱基底(6)上方,所述阴极接柱基底(5)设于阳极接柱基底(6)左侧,所述阳极接柱基底(6)设于底板(7)上方,所述底板(7)设于阴极接柱(8)上方,所述阴极接柱(8)设于阳极接柱(9)左侧,所述阳极接柱(9)设于阳极接柱基底(6)下方,所述半导体芯片(4)设有半导体芯片电路板(40)、半导体芯片引脚(41),所述半导体芯片电路板(40)与半导体芯片引脚(41)固定连接。
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