[实用新型]一种准分子激光退火装置有效
| 申请号： | 201720202711.6 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN206480599U | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁;李小龙 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 汪源,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种准分子激光退火装置，该准分子激光退火装置包括激光产生单元和工艺腔室，所述工艺腔室内设置有用于检测待处理基板上各位置的实际厚度的厚度检测单元；所述准分子激光退火装置还包括与所述厚度检测单元连接、用于根据厚度检测单元检测到的所述待处理基板上各位置的实际厚度来判断所述待处理基板是否为异常基板的基板判断单元。本实用新型提供的准分子激光退火装置可在激光退火工艺开始之前有效识别出异常基板，并自动将异常基板运输出工艺腔室外，从而避免异常基板进行激光退火工艺。本实用新型的技术方案可降低激光退火工艺中待处理基板发生碳爆的概率，从而有效避免准分子激光退火设备被污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 准分子激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
一种准分子激光退火装置，包括：激光产生单元和工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室内设置有用于检测待处理基板上各位置的实际厚度的厚度检测单元；所述准分子激光退火装置还包括：与所述厚度检测单元连接、用于根据厚度检测单元检测到的所述待处理基板上各位置的实际厚度来判断所述待处理基板是否为异常基板的基板判断单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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