[实用新型]一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片及电路有效

专利信息
申请号: 201720199492.0 申请日: 2017-03-02
公开(公告)号: CN206674236U 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 上海灿瑞科技股份有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 上海智信专利代理有限公司31002 代理人: 邓琪,余中燕
地址: 200072 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型提供一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片及电路,该芯片连接至一包括可控硅调光器和输入电流采样电阻的外围电路,包括一迟滞比较器、一跨导模块、一第一NMOS管、一第一PMOS管、一第二PMOS管、一第二NMOS管、一补偿电容、一隔离电容、一第一比较器、及一驱动模块。本实用新型并不通过直接下拉母线电压Vin来使输入电流增加,输入电流增加的部分依然作为输出电流的一部分,所以相对于图1的现有技术效率明显提高,特别是在输出电流较小的情况下,效率改善明显,另外,本实用新型无需采用高压MOS管且无需额外增加芯片管脚,从而降低成本。
搜索关键词: 一种 提高 可控硅 调光器 兼容性 led 驱动 芯片 电路
【主权项】:
一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片,连接至一包括可控硅调光器和输入电流采样电阻的外围电路,且一输入电流流过所述可控硅调光器和输入电流采样电阻,其特征在于,该芯片包括:一迟滞比较器,其正输入端连接一内部基准电压端,负输入端连接所述外围电路以接收所述输入电流流过所述输入电流采样电阻产生的电压;一跨导模块,其正输入端连接一内部基准电流端,负输入端连接一输出电流反馈端;一第一NMOS管,其栅极连接所述跨导模块的输出端;一第一PMOS管,其栅极通过一第一反相器连接所述迟滞比较器的输出端,源极连接一芯片内部电源,漏极连接所述第一NMOS管的漏极;一第二PMOS管,其源极通过一第一电流源连接所述芯片内部电源,栅极连接所述迟滞比较器的输出端,漏极连接所述第一NMOS管的源极;一第二NMOS管,其栅极连接所述迟滞比较器的输出端,漏极连接所述第一NMOS管的源极,源极通过一第二电流源接地;一补偿电容,其上极板连接所述跨导模块的输出端,下极板接地;一隔离电容,其上极板连接所述第一NMOS管的源极,下极板接地;一第一比较器,其正输入端连接一锯齿波产生电路,负输入端连接所述第一NMOS管的源极;以及一驱动模块,其输入端通过一开关逻辑模块连接所述第一比较器的输出端,输出端连接所述外围电路以及所述开关逻辑模块的输入端。
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