[实用新型]一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片及电路有效
申请号: | 201720199492.0 | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN206674236U | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 上海灿瑞科技股份有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人: | 邓琪,余中燕 |
地址: | 200072 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 可控硅 调光器 兼容性 led 驱动 芯片 电路 | ||
1.一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片,连接至一包括可控硅调光器和输入电流采样电阻的外围电路,且一输入电流流过所述可控硅调光器和输入电流采样电阻,其特征在于,该芯片包括:
一迟滞比较器,其正输入端连接一内部基准电压端,负输入端连接所述外围电路以接收所述输入电流流过所述输入电流采样电阻产生的电压;
一跨导模块,其正输入端连接一内部基准电流端,负输入端连接一输出电流反馈端;
一第一NMOS管,其栅极连接所述跨导模块的输出端;
一第一PMOS管,其栅极通过一第一反相器连接所述迟滞比较器的输出端,源极连接一芯片内部电源,漏极连接所述第一NMOS管的漏极;
一第二PMOS管,其源极通过一第一电流源连接所述芯片内部电源,栅极连接所述迟滞比较器的输出端,漏极连接所述第一NMOS管的源极;
一第二NMOS管,其栅极连接所述迟滞比较器的输出端,漏极连接所述第一NMOS管的源极,源极通过一第二电流源接地;
一补偿电容,其上极板连接所述跨导模块的输出端,下极板接地;
一隔离电容,其上极板连接所述第一NMOS管的源极,下极板接地;
一第一比较器,其正输入端连接一锯齿波产生电路,负输入端连接所述第一NMOS管的源极;以及
一驱动模块,其输入端通过一开关逻辑模块连接所述第一比较器的输出端,输出端连接所述外围电路以及所述开关逻辑模块的输入端。
2.根据权利要求1所述的提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片,其特征在于,所述锯齿波产生电路包括:
一第二反相器,其输入端连接所述开关逻辑模块的输出端;
一第三PMOS管,其栅极连接所述第二反相器的输出端,源极通过一第三电流源连接所述芯片内部电源,漏极连接所述锯齿波产生电路的输出端;
一第三NMOS管,其栅极连接所述第二反相器的输出端,源极接地,漏极连接所述锯齿波产生电路的输出端;以及
一斜坡电容,其上极板连接所述锯齿波产生电路的输出端,下极板接地。
3.根据权利要求1所述的提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片,其特征在于,所述开关逻辑模块包括一第二比较器和一RS触发器,其中,
所述第二比较器的正输入端连接所述驱动模块的输出端,负输入端接地;
所述RS触发器的置位端连接所述第二比较器的输出端,复位端连接所述第一比较器的输出端,输出端连接所述驱动模块的输入端。
4.一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动电路,其包括一LED驱动芯片和一外围电路,其特征在于,所述LED驱动芯片为前述权利要求1-3中任一项所述的提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片。
5.根据权利要求4所述的提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动电路,其特征在于,所述外围电路包括:
一交流电源;
所述可控硅调光器,其输入端连接所述交流电源的正输出端;
所述输入电流采样电阻,其一端连接所述迟滞比较器的第二输入端,另一端接地;
一整流电路,其正输入端连接所述调光器的输出端,负输入端连接所述交流电源的负输出端,负输出端连接所述迟滞比较器的第二输入端;
一变压器,其原边异名端连接所述整流电路的正输出端,副边异名端连接一LED负载的负极;
一功率MOS管,其栅极连接所述驱动模块的输出端,漏极连接所述变压器的原边同名端;
一输出电压采样电阻,其一端连接所述功率MOS管的源极,另一端接地;以及
一续流二极管,其阳极连接所述变压器的副边同名端,阴极连接所述LED负载的阳极。
6.根据权利要求5所述的提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动电路,其特征在于,所述外围电路还包括一钳位二极管,其阴极连接所述迟滞比较器的第二输入端,阳极接地。
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