[实用新型]硅基单片集成激光器有效
| 申请号： | 201720132168.7 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN206931836U | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 仇超;龚谦;武爱民;高腾;盛振;甘甫烷;赵颖璇;李军 | 申请（专利权）人： | 上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/32 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种硅基单片集成激光器，包括1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III‑V族材料，控制Ge厚度和III‑V族材料的厚度，使得III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本实用新型利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III‑V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III‑V族材料的厚度，实现III‑V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III‑V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III‑V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本实用新型可提高激光器的热扩散性能。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 激光器 | ||
【主权项】：
一种硅基单片集成激光器，其特征在于，包括：SOI衬底，包括衬底硅、埋氧化硅层以及顶层硅，所述埋氧化硅层以及顶层硅形成有图形化的限向结构；Ge外延层，形成于限向结构内的衬底硅表面；III‑V族材料，形成于所述Ge外延层表面，所述III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。
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