[实用新型]微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构有效

专利信息
申请号: 201720105344.8 申请日: 2017-01-25
公开(公告)号: CN207074987U 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 何涛 申请(专利权)人: 成都杰联祺业电子有限责任公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/32;H03F1/56;H03F3/189
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构,包括电阻R1、电阻R2、电容Cin、电容Cout、电感L1、电感L2、电感L3、晶体管Q1、晶体管Q2和晶体管Q3,所述电阻R1一端与电源电压连接,所述R1另一端与晶体管Q3漏极连接,所述晶体管Q3栅极再与所述电阻R2一端连接,所述电阻R2另一端再与电容Cin和所述电感L3连接,所述电感L3再与所述晶体管Q1栅极连接,所述晶体管Q1源极与所述电感L2连接。在提供很低的噪声系数的同时,容易得到一定阻值的输入阻抗,电感L2和电感L3共同实现输入端的匹配,晶体管Q3与晶体管Q1形成对流镜,电容Cin与电容Cout用于将射频与直流隔离,从而具有良好的性能。
搜索关键词: 微波集成电路 中的 低噪声放大器 电路 结构
【主权项】:
一种微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构,其特征在于包括电阻R1、电阻R2、电容Cin、电容Cout、电感L1、电感L2、电感L3、晶体管Q1、晶体管Q2和晶体管Q3,所述电阻R1一端与电源电压连接,所述R1另一端与晶体管Q3漏极连接,所述晶体管Q3栅极再与所述电阻R2一端连接,所述电阻R2另一端再与电容Cin和所述电感L3连接,所述电感L3再与所述晶体管Q1栅极连接,所述晶体管Q1源极与所述电感L2连接,所述晶体管Q1漏极与所述晶体管Q2漏极连接,所述晶体管Q2与电源电压连接,所述晶体管Q2源极再分别与电感L1和电容Cout连接,所述电感L1还与电源电压连接。
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