[实用新型]微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及微波技术领域，具体涉及一种微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构。

背景技术

微波毫米波射频模块的中频通常在500MHz至5GHz之间，同时这个频段也是目前利用率最高的射频频段，这个频率的典型应有CDMA移动通信与无线局域网等，在这些系统与应用中，LNA需要具有良好的性能，从而在提供足够增益的同时，降低对系统噪声性能的影响。

实用新型内容

本实用新型克服了现有技术的不足，提供一种用于减小输入与输出之间的相互作用的微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构。

考虑到现有技术的上述问题，根据本实用新型的一个方面，为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，包括电阻R1、电阻R2、电容C_in、电容C_out、电感L1、电感L2、电感L3、晶体管Q1、晶体管Q2和晶体管Q3，所述电阻R1一端与电源电压连接，所述R1另一端与晶体管Q3漏极连接，所述晶体管Q3栅极再与所述电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端再与电容C_in和所述电感L3连接，所述电感L3再与所述晶体管Q1栅极连接，所述晶体管Q1源极与所述电感L2连接，所述晶体管Q1漏极与所述晶体管Q2漏极连接，所述晶体管Q2与电 源电压连接，所述晶体管Q2源极再分别与电感L1和电容C_out连接，所述电感L1还与电源电压连接。

为了更好地实现本实用新型，进一步的技术方案是：

根据本实用新型的一个实施方案，还包括电容C1，所述电容C1与所述电感L1并联。

根据本实用新型的另一个实施方案，所述晶体管Q1为场效应晶体管。

根据本实用新型的另一个实施方案，所述晶体管Q2为场效应晶体管。

本实用新型还可以是：

根据本实用新型的另一个实施方案，所述晶体管Q3为场效应晶体管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果之一是：

本实用新型的微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，晶体管Q2用于减小输入与输出之间的相互作用，提供良好的隔离，输入与输出的谐振点通常调整为一致，但也可以根据需要错开一定频率以提供较为平坦的宽度响应，在提供很低的噪声系数的同时，容易得到一定阻值的输入阻抗，电感L2和电感L3共同实现输入端的匹配，晶体管Q3与晶体管Q1形成对流镜，电容Cin与电容Cout用于将射频与直流隔离，从而具有良好的性能。

附图说明

为了更清楚的说明本申请文件实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术的描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是对本申请文件中一些实施例的参考，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的情况下，还可以根据这些附图得到其它的附图。

图1为根据本实用新型一个实施例的微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构的示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

如图1所示，图1示出了根据本实用新型一个实施例的微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，一种微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，其特征在于包括电阻R1、电阻R2、电容C_in、电容C_out、电感L1、电感L2、电感L3、晶体管Q1、晶体管Q2和晶体管Q3，所述电阻R1一端与电源电压连接，所述R1另一端与晶体管Q3漏极连接，所述晶体管Q3栅极再与所述电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端再与电容C_in和所述电感L3连接，所述电感L3再与所述晶体管Q1栅极连接，所述晶体管Q1源极与所述电感L2连接，所述晶体管Q1漏极与所述晶体管Q2漏极连接，所述晶体管Q2与电源电压连接，所述晶体管Q2源极再分别与电感L1和电容C_out连接，所述电感L1还与电源电压连接。还包括电容C1，所述电容C1与所述电感L1并联。所述晶体管Q1可以为场效应晶体管。所述晶体管Q2可以为场效应晶体管。所述晶体管Q3可以为场效应晶体管。