[实用新型]集成肖特基二极管的SiCJFET器件

摘要

本实用新型公开了集成肖特基二极管的SiC JFET(结型场效应晶体管)器件，其有源区的原胞结构从下至上依次为漏极、SiC衬底、buffer层、n‑漂移层、左右对称设置的两个p+阱层、n沟道层、n沟道层两侧左右对称设置的两个p+区、从左至右依次对称设置的p+区，n++区，p+区，p+区，n++区和p+区、从左至右依次对称设置的源极，栅极，肖特基接触，栅极和源极；源极设置在的原胞结构左右两侧相邻的p+区和n++区上方，栅极设置在原胞结构左右两侧的中部p+区上方，肖特基接触设置在有源区中原胞结构的部分中部n区上方，在原胞结构中其他部分n区上方无肖特基接触。本申请提出了集LJFET与VJFET于一体的，并且集成了肖特基二极管的SiC JFET器件，并提供了制作方法。

主权项

集成肖特基二极管的SiC JFET器件，其特征在于，所述SiC JFET器件有源区的原胞结构从下至上依次为漏极、SiC衬底、buffer层、n‑漂移层、左右对称设置的两个p+阱层、n沟道层、从左至右依次对称设置的p+区，n++区，p+区，p+区，n++区和p+区、从左至右依次对称设置的源极，栅极，肖特基接触，栅极和源极；其中，所述源极设置在的原胞结构左右两侧相邻的p+区和n++区上方，所述栅极设置在原胞结构左右两侧的中部p+区上方，所述肖特基接触设置在有源区中原胞结构的部分中部n区上方，在原胞结构中其他部分n区上方是介质和栅极互联金属。