[发明专利]在负性光阻图形上形成过孔的光罩结构、方法和应用在审

专利信息
申请号: 201711487314.9 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN107908074A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 宋江江 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G03F1/54 分类号: G03F1/54
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰,武岑飞
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开了一种在负性光阻图形上形成过孔的光罩结构、方法和应用,该光罩结构包括与过孔对应的遮光部,每个所述遮光部分别定义有一中心遮光区、以及分布于中心遮光区四周的外围遮光区,所述外围遮光区在遮光部的至少一个径向方向阵列分布有多个上下镂空的狭缝,所述狭缝宽度满足bn>bn+1,其中,bn和bn+1分别为相邻两个狭缝的宽度,且bn相对所述bn+1的狭缝远离所述中心遮光区。本发明通过在遮光部上开设阵列的多个镂空的狭缝,提高过孔位置的曝光量,以在过孔边缘形成缓和的坡度,改善像素电极和薄膜晶体管金属层信号线之间的电连接质量,同时减少后制程保护层的断膜,提高产品品质和良率。
搜索关键词: 负性光阻 图形 形成 结构 方法 应用
【主权项】:
一种在负性光阻图形上形成过孔的光罩结构,其特征在于,包括与过孔对应的遮光部,每个所述遮光部分别定义有一中心遮光区、以及分布于中心遮光区四周的外围遮光区,所述外围遮光区在遮光部的至少一个径向方向阵列分布有多个上下镂空的狭缝,所述狭缝宽度满足:bn>bn+1其中,bn和bn+1分别为相邻两个狭缝的宽度,且bn相对所述bn+1的狭缝远离所述中心遮光区。
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