[发明专利]一种TFT阵列基板跨线结构及其制作方法

摘要

本发明实施例公开了一种TFT阵列基板跨线结构的制作方法，其包括如下步骤:步骤1、提供一衬底基板，并形成两条平行的第一金属线段和第三金属线段；步骤2、在第一金属层上沉积第一绝缘层；步骤3、在第一绝缘层上沉积第二金属层，形成第二金属线段和第四金属线段，并形成跨接线，其中所述跨接线与第二金属线段、第四金属线段相错开，且跨接线至少一部分和第一金属线段相重叠；步骤4、在第二金属层上沉积钝化层；步骤5、在钝化层上形成至少一个过孔结构，并在钝化层上沉积形成连接线，连接线通过过孔结构与跨接线及第一金属线段电连接。本发明还公开了相应的跨线结构，实施本发明实施例，可以降低或避免跨线结构处的静电放电的现象。

主权项

1.一种TFT阵列基板跨线结构的制作方法，其特征在于，至少包括如下步骤:步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板的非显示区域上沉积第一金属层，形成两条平行的第一金属线段和第三金属线段；步骤2、在所述第一金属层和所述衬底基板上沉积第一绝缘层；步骤3、在所述衬底基板的非显示区域中第一绝缘层上沉积第二金属层，形成第二金属线段、第四金属线段以及跨接线，其中所述跨接线与所述第二金属线段、第四金属线段相错开，且所述跨接线至少一部分和所述第一金属线段相重叠；步骤4、在所述第二金属层上沉积钝化层；步骤5、在所述钝化层上形成至少一个过孔结构，并在所述钝化层上沉积形成连接线，所述连接线通过所述过孔结构与跨接线及所述第一金属线段电连接。