[发明专利]一种TFT阵列基板跨线结构及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板跨线结构的制作方法，其特征在于，至少包括如下步骤:

步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板的非显示区域上沉积第一金属层，形成两条平行的第一金属线段和第三金属线段；

步骤2、在所述第一金属层和所述衬底基板上沉积第一绝缘层；

步骤3、在所述衬底基板的非显示区域中第一绝缘层上沉积第二金属层，形成第二金属线段、第四金属线段以及跨接线，其中所述跨接线与所述第二金属线段、第四金属线段相错开，且所述跨接线至少一部分和所述第一金属线段相重叠；

步骤4、在所述第二金属层上沉积钝化层；

步骤5、在所述钝化层上形成至少一个过孔结构，并在所述钝化层上沉积形成连接线，所述连接线通过所述过孔结构与跨接线及所述第一金属线段电连接，其中，所述过孔结构为至少一个第一过孔，所述第一过孔穿透所述钝化层、跨接线、第一绝缘层直达所述第一金属线段表面，所述连接线通过所述第一过孔与跨接线及所述第一金属线段电连接。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤5中，所述过孔结构包括至少一个第四过孔以及至少一个第五过孔，其中，所述第四过孔穿透所述钝化层直达所述跨接线表面，所述连接线通过所述第四过孔与所述跨接线电连接；所述第五过孔穿透所述钝化层、第一绝缘层直达所述第一金属线段表面，所述连接线通过所述第五过孔与所述第一金属线段电连接。

3.如权利要求1至2任一项所述的方法，其特征在于，在步骤3之前进一步包括：

在所述第一绝缘层上形成至少一个第二过孔，所述第一金属线段通过所述第二过孔与所述第二金属线段电连接；

在所述第一绝缘层形成至少一个第三过孔，所述第三金属线段通过所述第三过孔与所述第四金属线段电连接。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底基板为玻璃基板或PI柔性基板；所述第一金属层以及第二金属层材料包括钼、铝、铜、钛、钨及以上金属的组合中的至少一种；所述第一绝缘层、钝化层分别为氮化硅层单层结构，或者由氮化硅层与氧化硅层组成的叠层结构；所述连接线为氧化铟锡。

5.一种TFT阵列基板跨线结构，其特征在于，至少包括:

平行设置的第一金属线和第二金属线，其中第一金属线包括在第一金属层上形成第一金属线段和在第二金属层上形成的第二金属线段；所述第二金属线包括在第一金属层上形成的第三金属线段和在第二金属层上形成的第四金属线段；

第一绝缘层，设置在所述第一金属层和第二金属层之间；

跨接线，由所述第二金属层形成，与所述第二金属线段和第四金属线段相错开；

钝化层，设置于第二金属层上；

连接线，与像素电极同层形成，其通过过孔结构与所述跨接线及所述第一金属线段电连接，其中，所述过孔结构为至少一个第一过孔，所述第一过孔穿透所述钝化层、跨接线、第一绝缘层直达所述第一金属线段表面，所述连接线通过所述第一过孔与跨接线及所述第一金属线段电连接。

6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，所述过孔结构包括至少一个第四过孔以及至少一个第五过孔，其中，所述第四过孔穿透所述钝化层，直达所述跨接线表面，所述连接线通过所述第四过孔与所述跨接线电连接；所述第五过孔穿透所述钝化层、第一绝缘层直达所述第一金属线段表面，所述连接线通过所述第五过孔与所述第一金属线段电连接。

7.如权利要求5至6任一项所述的结构，其特征在于，在所述第一金属线段和所述第二金属线段重叠的区域的第一绝缘层上设置有至少一个第二过孔，所述第一金属线段通过所述第二过孔与所述第二金属线段电连接；在所述第三金属线段和所述第四金属线段重叠的区域的第一绝缘层上设置有至少一个第三过孔，所述第三金属线段通过所述第三过孔与所述第四金属线段电连接。

8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，所述第一金属层以及第二金属层材料包括钼、铝、铜、钛、钨及以上金属的组合中的至少一种；所述第一绝缘层、钝化层分别为氮化硅层单层结构，或者由氮化硅层与氧化硅层组成的叠层结构；所述连接线为氧化铟锡。