[发明专利]一种氮化铝晶体生长用同质衬底制备及扩径生长方法

摘要

本发明公开了一种氮化铝晶体生长用同质衬底制备及扩径生长方法，该方法方法主要包括有：元晶制备、衬底制备、晶体生长等步骤。本申请的方法不单克服氮化铝晶体生长过程中没有同质衬底的关键问题，还可以使用金属加热器‑保温结构进行制备高质量氮化铝单晶材料；同样的，采用该发明方案，还可以将氮化铝单晶尺寸有效扩大，故该方法也是氮化铝晶体生长中扩径生长的一项重要技术方法。

主权项

1.一种氮化铝晶体生长用同质衬底制备及扩径生长方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)元晶制备：利用物理气相沉积生长氮化铝晶体，并对其进行加工，制备成等距圆柱形结构元晶，其中氮化铝元晶端面为{0001}晶面族；2)衬底制备：在洁净的籽晶托上用氮化铝专用粘结剂有序粘结元晶，依据元晶粘结规划逐顺序将直径不同的元晶均匀地粘结在籽晶托上，形成雏形衬底；再将雏形衬底进行烧结固化；然后进行晶向偏差测算，确定各元晶的晶向偏差合理后再将晶体进行epi-ready加工；3)晶体生长：将氮化铝衬底模板与氮化铝生长料源置于同一坩埚内，先使氮化铝衬底模板处于高温位，对氮化铝衬底进行高温预处理；通过炉子的提拉结构调整衬底与料源的位置关系，实现料源处于高温位，衬底位于沉积生长位进行氮化铝晶体生长。