[发明专利]一种选择发射极的MWT太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201711453555.1 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108198905A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李质磊;安欣睿;逯好峰;吴仕梁;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 南京日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王艳丽 |
| 地址： | 211800 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择发射极的MWT太阳能电池的制备方法，包括：将制绒扩散后的硅片经掩膜工序后再进行刻蚀工序，其中，掩膜工序包括在硅片扩散面制备正电极图案对应的掩膜图案；刻蚀工序包括去除硅片周边及背面的PN结，对掩膜图形以外正面扩散层进行抛结，去除掩膜浆料，去除磷硅玻璃，并进行背面抛光。本发明采用正面印刷或打印掩膜浆料的方式，在正面和孔洞内制备掩膜层，同时达到SE及MWT绝缘的目的，采用带液方式刻蚀周边及背面PN结，可以进一步保证MWT电池的绝缘要求。这样，在传统MWT工艺基础上实现了MWT和SE工艺技术的叠加，所制备的电池转换效率高，工艺路线设备投入少，成本低，适合规模化量产。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 掩膜 去除 太阳能电池 刻蚀工序 发射极 浆料 孔洞 电池转换效率 正电极图案 背面抛光 工艺基础 工艺技术 工艺路线 硅片扩散 硅片周边 绝缘要求 磷硅玻璃 设备投入 掩膜图案 掩膜图形 正面印刷 规模化 扩散层 掩膜层 硅片 带液 刻蚀 量产 制绒 绝缘 叠加 背面 打印 电池 扩散 保证 | ||
【主权项】：
1.一种选择发射极的MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：将制绒扩散后的硅片经掩膜工序后再进行刻蚀工序，其中，掩膜工序包括在硅片扩散面制备正电极图案对应的掩膜图案；刻蚀工序包括去除硅片周边及背面的PN结，对掩膜图形以外正面扩散层进行抛结，去除掩膜浆料，去除磷硅玻璃，并进行背面抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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