[发明专利]紫外LED抗静电硅基板的封装结构有效
| 申请号： | 201711453233.7 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108091646B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 闫建昌;刘春岩;郭亚楠;崔志勇;王兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。本发明可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 led 抗静电 硅基板 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711453233.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LED高密显示光源器件的封装结构
- 下一篇：自偏压双向ESD保护电路
- 同类专利
- 专利分类
