[发明专利]紫外LED抗静电硅基板的封装结构

说明书

一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。本发明可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，特别涉及一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构。

背景技术

目前，紫外LED采用蓝宝石基外延片，而蓝宝石不易散热，所以为了利于散热提高效率，一般在封装时将紫外芯片倒装到硅基板上，再将带有紫外芯片的硅基板正装到陶瓷管壳内，用金丝压焊方式引出正负极到壳体对应的电极上。

当LED在工作中关闭、掉电或外界静电影响的瞬间会有反向电压产生，产生的电压超出芯片承受指标后，瞬间(nS)将两个电极层之间的某个区域内放电，从而产生漏电或者将芯片烧毁。人们在LED芯片两端反向并联一颗齐纳二极管芯片，实现了对LED芯片抗静电保护的目的。

反向并联齐纳管的方式一般是正装硅基板的同时，在壳体空余位置涂上环氧树脂粘接齐纳管，高温固化后，金丝压焊反响并联到LED两极。这种方法需要壳体有足够的空间，操作复杂，需要两次正装操作，而且不利于LED芯片散热。因此设计一款具有承接作用又具有保护作用的硅基板对简化操作、提高散热性能具有重要的实际应用意义。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，其可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。

为达到上述目的，本发明提供一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：

一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；

一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；

一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；

一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；

一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。

本发明的有益效果是，其可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。

附图说明

为进一步说明本发明的技术内容，以下结合附图及实施例对本发明作进一步说明，其中：

图1是抗静电硅基板结构示意图；

图2是倒装紫外LED芯片的结构示意图；

图3是将装有紫外LED芯片的硅基板封装在陶瓷基板上的结构示意图。

具体实施方式

请参阅图1、图2及图3所示，本发明提供一种紫外LED抗静硅电基板的封装结构，包括：

一稳压二极管5，其制作在正极1部分的硅基板6上(如图1所示)，所述硅基板6和稳压二极管5在内部为反向并联的连接；

一硅基板6，该硅基板6是用间隔槽4隔离出正极1、负极2和自由极3，所述正极1位于硅基板6上面的一侧，所述负极2和自由极3位于硅基板6上面的另一侧；