[发明专利]紫外LED抗静电硅基板的封装结构有效

专利信息
申请号: 201711453233.7 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN108091646B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 闫建昌;刘春岩;郭亚楠;崔志勇;王兵 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L33/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤宝平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 紫外 led 抗静电 硅基板 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构,包括:

一硅基板,该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极,所述正极位于硅基板上面的一侧,所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧;

一稳压二极管,其制作在正极部分的硅基板上;

一紫外LED芯片,其倒装在硅基板,并与正极、负极和自由极连接;

一陶瓷管壳,所述硅基板制作在陶瓷管壳上,所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接,所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接;

一盖片,其封盖在陶瓷管壳上;

其中,所述硅基板上的自由极是设计在正极和负极的任意位置,适用于多种形式紫外LED倒装结构,自由极是根据倒装的紫外LED芯片的极性而定;其中硅基板和稳压二极管在内部为反向并联的连接。

2.如权利要求1所述的紫外LED抗静电硅基板的封装结构,其中硅基板与稳压二极管是通过版图设计和工艺加工集成在硅基板上,同时起到支撑和保护紫外LED芯片的作用。

3.如权利要求1所述的紫外LED抗静电硅基板的封装结构,其中倒装紫外LED芯片的硅基板正装到陶瓷管壳后,压焊金丝从自由极到与对应陶瓷管壳电极上,更好的实现LED的电性能。

4.如权利要求1所述的紫外LED抗静电硅基板的封装结构,其中所述陶瓷管壳是带围坝的方形体或圆形镀金陶瓷体。

5.如权利要求1所述的紫外LED抗静电硅基板的封装结构,其中所述盖片为石英片。

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