[发明专利]一种薄膜的制备方法与QLED器件有效

专利信息
申请号: 201711448269.6 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN109980097B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种薄膜的制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将锌盐溶液与碱混合,进行反应,得到ZnO纳米颗粒;将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中,再加入碱,进行水解反应,形成前驱体溶液;将所述前驱体溶液沉积成膜,并进行退火反应,得到ZnO/TiO2核壳纳米颗粒组成的薄膜。本发明ZnO/TiO2核壳纳米颗粒组成的薄膜,使得电子空穴对的辐射组合减少,从而提高电子传输性能,增强器件的发光效率。另外,基于ZnO/TiO2核壳结构的QLED器件可以调控电子注入,防止无辐射俄歇复合机制猝灭量子点的发光,从而平衡电子和空穴,提高器件的发光效率。
搜索关键词: 一种 薄膜 制备 方法 qled 器件
【主权项】:
1.一种薄膜的制备方法,其特征在于,包括步骤:将锌盐溶液与碱混合,进行反应,得到ZnO纳米颗粒;将钛盐和所述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中,再加入碱,进行水解反应,形成前驱体溶液;将所述前驱体溶液沉积成膜,并进行退火反应,得到ZnO/TiO2核壳纳米颗粒组成的薄膜。
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