[发明专利]一种薄膜的制备方法与QLED器件

说明书

本发明公开一种薄膜的制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将锌盐溶液与碱混合，进行反应，得到ZnO纳米颗粒；将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱，进行水解反应，形成前驱体溶液；将所述前驱体溶液沉积成膜，并进行退火反应，得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。本发明ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜，使得电子空穴对的辐射组合减少，从而提高电子传输性能，增强器件的发光效率。另外，基于ZnO/TiO₂核壳结构的QLED器件可以调控电子注入，防止无辐射俄歇复合机制猝灭量子点的发光，从而平衡电子和空穴，提高器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及QLED器件技术领域，尤其涉及一种薄膜的制备方法与QLED器件。

背景技术

ZnO是一种直接带隙的n型半导体材料，具有3.37 eV的宽禁带和3.7 eV的低功函，这种能带结构特点决定了ZnO可成为合适的电子传输层材料；同时其良好的导电性、高可见光透过率、优异的水氧稳定性以及成熟的制备工艺，使其在溶液工艺的光电器件中有着越来越出色的表现。

TiO₂是一种广泛应用的多功能材料，具有3.2 eV的宽禁带，它有着独特的光学、电学及物理性质，优良的化学稳定性，能够抵抗介质的电化学腐蚀，己被广泛应用于涂料、化妆品、半导体、传感器、介电材料、催化剂等领域。TiO₂是一种重要的宽禁带间接带隙半导体材料，广泛地用作为阳极催化分解水、太阳能电池等光化学以及光电子器件的功能材料。

氧化锌为直接带隙半导体而二氧化钛为间接带隙半导体，其禁带宽度都在3.2 eV左右。两者都是重要的半导体材料，在光催化、光电转化等领域都有广泛的应用。这种功能上的相似性与带隙上较小的差异性使得通过两者的复合来改善光学性质、光电转化行为成为可能。但二者复合材料报道得较少，特别在QLED方面的应用。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种薄膜的制备方法与QLED器件，旨在提供一种ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒作为电子传输层的材料，以提高电子传输性能，增强器件的发光效率。

本发明的技术方案如下：

一种薄膜的制备方法，其中，包括步骤：

将锌盐溶液与碱混合，进行反应，得到ZnO纳米颗粒；

将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱，进行水解反应，形成前驱体溶液；

将所述前驱体溶液沉积成膜，并进行退火反应，得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

所述的薄膜的制备方法，其中，所述锌盐选自醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌或二水合乙酸锌；和/或所述钛盐选自四氯化钛、硝酸钛、硫酸钛或钛酸四丁酯。

所述的薄膜的制备方法，其中，所述碱选自氨水、氢氧化钾、氢氧化纳、乙醇胺、乙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺或乙二胺。

所述的薄膜的制备方法，其中，在将锌盐溶液与碱混合的步骤中，所述碱与所述锌盐的摩尔比为（1.8-2.5）：1。

所述的薄膜的制备方法，其中，在进行反应，得到ZnO纳米颗粒的步骤中，所述反应的温度为50-70℃，反应的时间为2-4h。

所述的薄膜的制备方法，其中，在将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中的步骤中，所述ZnO纳米颗粒与所述钛盐的摩尔比为1：（0.05~0.1）。

所述的薄膜的制备方法，其中，在将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱的步骤中，所述碱与所述钛盐的摩尔比为（3.5-4.5）：1。