[发明专利]一种半导体激光器图形化电极注入方法在审
| 申请号： | 201711421336.5 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN107946901A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 赵智德 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 215163 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器图形化电极注入方法，包括步骤1)将半导体激光器电极从纵向分成若干长方形等分；步骤2)从前端到后端，根据电流的流向实施不同的掩膜面积和注入电流面积大小。本方案采用图形化电极制备方法，来补偿前端的载流子损耗，实现载流子和光子在半导体激光器纵向电极在大电流工作条件下的均匀分布，从而实现提高输出功率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 图形 电极 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器图形化电极注入方法，其特征在于，包括：步骤1)将半导体激光器电极从纵向分成若干长方形等分；步骤2)从前端到后端，根据电流的流向实施不同的掩膜面积和注入电流面积大小。
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