[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号： | 201711384007.8 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108231625B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 阿部智昭;长谷川孝祐;门部雅人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。本发明提供不吹送冷却气体就能够缩短晶圆的冷却时间的基板处理装置和基板的冷却方法。具有：处理容器；基板保持器具，其保持多个基板，被装载于所述处理容器和从所述处理容器卸载；以及吸气管道，其具备吸气口，该吸气管道与处于从所述处理容器卸载后的卸载位置处的所述基板保持器具的周围相向地配置，其中，所述吸气管道具有构成所述吸气管道的主体的固定管道部和容纳于所述固定管道部并构成所述吸气口的可动管道部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，具有：处理容器；基板保持器具，其保持多个基板，被装载于所述处理容器和从所述处理容器卸载；以及吸气管道，其具备吸气口，该吸气管道与处于从所述处理容器卸载后的卸载位置处的所述基板保持器具的周围相向地配置，其中，所述吸气管道具有：固定管道部，其构成所述吸气管道的主体；以及可动管道部，其容纳于所述固定管道部，构成所述吸气口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
