[发明专利]一种用于蓝宝石平面抛光的抛光液及其制备方法有效
申请号: | 201711378330.4 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN107987732B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 裴亚利;陈海海;操应军;李宝德 | 申请(专利权)人: | 北京航天赛德科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 11303 北京方韬法业专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 马丽莲 |
地址: | 100000 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于蓝宝石平面抛光的抛光液及其制备方法,抛光液包括如下重量百分含量的组分:二氧化硅胶体10‑50%、分散剂0.01‑0.5%、抗结晶剂0.1‑2%、络合剂0.01‑0.2%、表面活性剂0.01‑0.5%、消泡剂0.01‑0.5%,适量pH调节剂调节pH值在8.5‑11.5,余量为去离子水;其中,二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒粒径40‑150nm,比表面积与粒径存在如下关系:S/D | ||
搜索关键词: | 抛光液 二氧化硅胶体 蓝宝石 平面抛光 粒径 二氧化硅颗粒 表面活性剂 抗结晶剂 抛光表面 抛光效率 去离子水 抛光 分散剂 络合剂 消泡剂 吸附 制备 解析 平衡 配合 | ||
【主权项】:
1.一种用于蓝宝石平面抛光的抛光液,其特征在于,包括如下重量百分含量的组分:/n二氧化硅胶体10-50%/n分散剂0.01-0.5%/n抗结晶剂0.1-2%/n络合剂0.01-0.2%/n表面活性剂0.01-0.5%/n消泡剂0.01-0.5%/n适量pH调节剂调节pH值在8.5-11.5,余量为去离子水;/n其中,二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒粒径40-150nm,比表面积与粒径存在如下关系:S/D
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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