[发明专利]晶体生长装置、生长方法及其应用在审
| 申请号： | 201711370589.4 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108018601A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;李超;刘运连 | 申请（专利权）人： | 清远先导材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/14;C30B15/20;C30B29/30;C30B29/28;C30B29/24;C30B29/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体生长装置，其包括一坩埚、位于坩埚上方的一后加热器、一籽晶杆、固定于籽晶杆下方的一籽晶、一第一感应线圈、一第二感应线圈及一保温罩，保温罩包括连为一体的一第一保温部和一第二保温部，第一保温部位于第二保温部的下方，第一保温部从两侧面和底面包覆坩埚，第二保温部从两侧面包覆后加热器，坩埚内盛装有熔体，籽晶与熔体的上表面接触，第一感应线圈套设于第一保温部外，第二感应线圈套设于第二保温部外。本发明晶体生长装置、生长方法及其应用，通过第一感应线圈和第二感应线圈来实现不同阶段的温场或温度梯度的控制，所制备得到的晶体无开裂、气泡、夹杂、散射等缺陷，达到了良好的长晶效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 生长 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长装置，其特征在于：其包括一坩埚、位于坩埚上方的一后加热器、一籽晶杆、固定于籽晶杆下方的一籽晶、一第一感应线圈、一第二感应线圈及一保温罩，所述保温罩包括连为一体的一第一保温部和一第二保温部，所述第一保温部位于第二保温部的下方，所述第一保温部从两侧面和底面包覆坩埚，所述第二保温部从两侧面包覆后加热器，所述坩埚内盛装有熔体，所述籽晶与熔体的上表面接触，所述第一感应线圈套设于第一保温部外，所述第二感应线圈套设于第二保温部外。
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