[发明专利]一种GaN外延片及制造方法在审
| 申请号： | 201711365930.7 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107863429A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 闫稳玉;吴伟东;张薇葭;王占伟;刘双昭;王旭东;赵利 | 申请（专利权）人： | 山东聚芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司37108 | 代理人： | 郑向群 |
| 地址： | 257091 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN外延片及制造方法，其中所述的衬底的上部为氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的上部为氮化镓外延层，最上方为氮化镓铝层，所述的二维电子气（2DEG）层位于氮化镓铝层和氮化镓外延层之间；优点为提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN外延片及制造方法，主要包括氮化镓铝层（1）、氮化镓外延层（2）、氮化镓缓冲层（3）、衬底（4）及二维电子气（2DEG）层（5），其特征在于：所述的衬底（4）的上部为氮化镓缓冲层（3），氮化镓缓冲层（3）的上部为氮化镓外延层（2），最上方为氮化镓铝层（1），所述的二维电子气（2DEG）层（5）位于氮化镓铝层（1）和氮化镓外延层（2）之间。
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