[发明专利]一种量子点薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201711363562.2 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109929546A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 杨一行;聂志文 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88;H01L51/50;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种量子点薄膜及其制备方法和应用，其中，所述量子点薄膜包括介质以及分散在所述介质中的量子点，所述量子点包括量子点核，包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体壳层，其中，所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。本发明解决了现有无镉量子点薄膜发光效率不高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 薄膜 金属层 制备方法和应用 包覆 半导体壳 发光效率 金属元素 无镉 | ||
【主权项】：
1.一种量子点薄膜，其特征在于，包括介质以及分散在所述介质中的量子点，所述量子点包括量子点核，包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体壳层，其中，所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。
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