[发明专利]一种量子点组合物及其制备方法在审
申请号: | 201711363561.8 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN109929545A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 杨一行;聂志文 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种量子点组合物及其制备方法,所述量子点组合物包括量子点和介质,所述量子点包括量子点核,包覆所述量子点核的金属层,包覆所述金属层的半导体壳层,其中,所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。本发明提供了一种具有金属层的半导体核壳量子点作为量子点组合物中的量子点发光材料;所述金属层能够增强量子点的发光效率;所述金属层还能够提升量子点的发光效率和尺寸均匀性;所述量子点由于具有更高效的量子点材料发光效率,能够实现量子点组合物良好的性能,因而更能满足半导体应用对量子点材料的综合性能要求,是一种适合半导体器件及显示技术的理想量子点发光材料。 | ||
搜索关键词: | 量子点 金属层 量子点组合物 发光效率 量子点发光材料 量子点材料 包覆 制备 综合性能要求 半导体器件 尺寸均匀性 半导体核 半导体壳 金属元素 壳量子点 半导体 应用 | ||
【主权项】:
1.一种量子点组合物,其特征在于,包括量子点材料和介质,所述量子点材料分散在所述介质中,所述量子点包括量子点核,包覆所述量子点核的金属层,包覆所述金属层的半导体壳层,其中,所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。
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