[发明专利]一种QLED器件

摘要

本发明公开一种QLED器件，所述QLED器件包括量子点发光层，所述量子点发光层采用量子点制备而成，所述量子点包括量子点核，包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体壳层，其中，所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。相较于现有技术，本发明所述量子点作为发光层材料的QLED器件能够实现：1)高器件效率、2)高效电荷注入、3)高发光亮度、4)低驱动电压等优异器件性能。同时，本发明所述量子点能够充分满足并配合器件中其他功能层的能级结构，以实现器件整体能级结构的匹配，从而有助于实现高效稳定的半导体器件。

主权项

1.一种QLED器件，所述QLED器件包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点包括量子点核，包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体壳层，其中，所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。