[发明专利]一种新型有机半导体激光功率器的设计方法在审
| 申请号： | 201711359530.5 | 申请日： | 2017-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109935689A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 廖清;高庆刚;付红兵 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100048 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型有机半导体激光功率器的设计方法。该方法包括如下步骤：在真空条件下，有机半导体材料纳米线是通过物理气相沉积的办法在二氧化硅基底上制备的，所用有机半导体材料为TPSB分子。在纳米线两端蒸镀纯金电极，纯度99.999％。将前述步骤制备好的器件接入信号处理设备，从而组成新型有机半导体激光功率器。该物理气相沉积方法解决了有机半导体材料的纯度问题，使有机半导体纯度高达达到99.9999％。与无机半导体激光功率器相比，该方法极大降低半导体材料制备成本，快速方便，操作简单，可重复性非常高，较高纯度的微纳晶提高了半导体激光功率器的各项性能，提高功率器灵敏度，提高有机半导体稳定性，具有较高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 激光功率 有机半导体材料 制备 物理气相沉积 纳米线 半导体激光功率 半导体材料 信号处理设备 二氧化硅基 无机半导体 纯度问题 可重复性 真空条件 高纯度 功率器 灵敏度 电极 纯金 纳晶 蒸镀 应用 | ||
【主权项】：
1.一种新型有机半导体激光功率器的设计方法，包括如下步骤：在真空条件下，有机半导体材料纳米线是通过物理气相沉积的办法在二氧化硅基底上制备的，所用有机半导体材料为TPSB分子，在纳米线两端蒸镀纯金电极，将前述步骤制备好的器件接入信号处理设备，从而组成新型有机半导体激光功率器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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