[发明专利]一种利用常温HF酸去除抛光硅片表面污染的方法

摘要

本发明提供了一种利用常温HF酸去除抛光硅片表面污染的方法，在标准清洗清洗机台前增加两槽，即药液槽和纯水槽；将49％‑51％氢氟酸原液的氢氟酸原液按照药液槽体体积的0.8％‑1.2％的比例称量好；将表面活性剂按照药液槽体体积的0.1‑0.2％的比例称量好；将称量好的氢氟酸原液和称量好的表面活性剂放入药液槽内，并充分混合；将硅片放入所述的药液槽内，在常温下进行硅片的清洗；将清洗后的硅片放入纯水槽内，在常温下对硅片用纯水清洗；将清洗后的硅片放入标准清洗清洗机内清洗；本发明利用常温HF酸去除抛光硅片表面污染，使得硅片表面的洁净度大大提高，满足了不同客户的需求。 1

主权项

1.一种利用常温HF酸去除抛光硅片表面污染的方法，其特征在于：具体步骤如下：

步骤一、在标准清洗机台前增加两槽，即药液槽和纯水槽；

步骤二、将49％‑51％氢氟酸原液的氢氟酸原液按照药液槽体体积的0.8％‑1.2％的比例称量好；

步骤三、将表面活性剂按照药液槽体体积的0.1‑0.2％的比例称量好；

步骤四、将步骤二中称量好的氢氟酸原液和步骤三中称量好的表面活性剂放入药液槽内，并充分混合；

步骤五、将硅片放入步骤四中所述的药液槽内，在常温下进行硅片的清洗；

步骤六、将步骤五中清洗后的硅片放入纯水槽内，在常温下对硅片用纯水清洗；

步骤七、将步骤六中清洗后的硅片放入标准清洗机内清洗。

2.根据权利要求1所述的一种利用常温HF酸去除抛光硅片表面污染的方法，其特征在于：步骤二中所述氢氟酸原液的浓度为49％。

3.根据权利要求1所述的一种利用常温HF酸去除抛光硅片表面污染的方法，其特征在于：步骤三中所述表面活性剂TSC‑1或者NCW。

4.根据权利要求1所述的一种利用常温HF酸去除抛光硅片表面污染的方法，其特征在于：所述药液槽为特氟龙材质的药液槽。

5.根据权利要求1所述的一种利用常温HF酸去除抛光硅片表面污染的方法，其特征在于：所述纯水槽为石英材质的纯水槽。

6.根据权利要求1所述的一种利用常温HF酸去除抛光硅片表面污染的方法，其特征在于：步骤二中，将49％‑51％氢氟酸原液的氢氟酸原液按照药液槽体体积的1.2％的比例称量好。

7.根据权利要求1所述的一种利用常温HF酸去除抛光硅片表面污染的方法，其特征在于：步骤三中，将表面活性剂按照药液槽体体积的0.15％的比例称量好。