[发明专利]一种带有自对准接触孔的沟槽形器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种带有自对准接触孔的沟槽型器件的制造方法，属于沟槽型器件技术领域，包括：制备复合结构；采用一第二光刻版为掩膜，形成源极；去除所述第二氧化层形成多晶硅栓塞；对所述凹槽底部的体区进行离子注入并退火以形成体区欧姆接触；沉积第四氧化层；采用所述第二光刻版为掩膜，刻蚀去除所述元胞区的所述第四氧化层；采用一第三光刻版为掩膜，刻蚀所述终端区的所述第四氧化层以形成栅极接触孔；沉积导电层，并对所述导电层进行处理以形成漏极和栅极。本发明的有益效果：通过工艺设计在器件的有源区形成自对准的源极接触孔，从而使元胞的横向尺寸可以减小到1微米以下，从而降低了器件的源漏极导通电阻。

主权项

1.一种带有自对准接触孔的沟槽型器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：步骤S1、制备一复合结构，所述复合结构包括由下至上依次设置的衬底、外延层、体区、第三氧化层及第二氧化层，由所述体区的上表面向所述外延层方向延伸有沟槽，所述沟槽内填充有栅极多晶硅，所述沟槽和所述栅极多晶硅之间设置有栅氧化层，所述栅极多晶硅和所述栅氧化层的高度低于所述体区的上表面一预设距离，所述第二氧化层覆盖相邻所述沟槽之间的部分所述体区的上表面，所述第三氧化层填充所述沟槽且覆盖所述第二氧化层两侧的所述体区的上表面，所述复合结构分为元胞区和终端区；步骤S2、采用一第二光刻版为掩膜，对所述元胞区的所述沟槽两侧的所述体区进行离子注入并退火以形成源极；步骤S3、在相邻所述第二氧化层之间沉积多晶硅导电层并去除所述第二氧化层以形成多晶硅栓塞；步骤S4、利用干法刻蚀进行硅的刻蚀，以去除所述多晶硅栓塞以及位于所述多晶硅栓塞两侧的部分所述源极和体区，并在相邻所述源极之间形成凹槽，对所述凹槽底部的体区进行离子注入并退火以形成体区欧姆接触；步骤S5、沉积第四氧化层，以覆盖所述第三氧化层、所述源极以及所述体区；步骤S6、采用所述第二光刻版为掩膜，刻蚀去除所述元胞区的所述第四氧化层；步骤S7、采用一第三光刻版为掩膜，刻蚀所述终端区的所述第四氧化层以形成栅极接触孔；步骤S8、沉积导电层，并对所述导电层进行处理以形成源极和栅极。