[发明专利]一种高速低功耗电平位移电路在审
| 申请号： | 201711339905.1 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108011629A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王卓;李颂;孙汉萍;石跃;周泽坤;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种高速低功耗电平位移电路，属于电子电路技术领域。第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4形成的正反馈结构，当输入信号Vin从0跳变为1时，第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第四PMOS管MP4和第六PMOS管MP6实现瞬态增强；当输入信号从1跳变为0时，第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一PMOS管MP1和第五PMOS管MP5实现瞬态增强。本发明提供的电平位移电路中的瞬态增强结构能使输出跳转速度加快，同时在稳态下能利用低功耗锁存的方式保证电路的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 功耗 电平 位移 电路 | ||
【主权项】：
1.一种高速低功耗电平位移电路，其特征在于，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)和反相器(INV)，所述电平位移电路包括输入端、第一输出端和第二输出端，反相器(INV)的输入端连接第一PMOS管(MP1)和第三PMOS管(MP3)的栅极以及所述输入端，其输出端连接第二PMOS管(MP2)和第四PMOS管(MP4)的栅极；第五PMOS管(MP5)的栅极连接第三NMOS管(MN3)的栅极、第三PMOS管(MP3)、第四NMOS管(MN4)和第五NMOS管(MN5)的漏极以及所述第二输出端，其源极连接第一PMOS管(MP1)的漏极，其漏极连接第一NMOS管(MN1)的栅极和漏极以及第二NMOS管(MN2)的栅极；第六PMOS管(MP6)的栅极连接第四NMOS管(MN4)的栅极、第二PMOS管(MP2)、第二NMOS管(MN2)和第三NMOS管(MN3)的漏极以及所述第一输出端，其源极连接第四PMOS管(MP4)的漏极，其漏极连接第六NMOS管(MN6)的栅极和漏极以及第五NMOS管(MN5)的栅极；第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)的源极连接电源电压(VDD)，第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)和第六NMOS管(MN6)的源极接地(GND)。
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