[发明专利]一种高速低功耗电平位移电路在审
| 申请号： | 201711339905.1 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108011629A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王卓;李颂;孙汉萍;石跃;周泽坤;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高速 功耗 电平 位移 电路 | ||
1.一种高速低功耗电平位移电路，其特征在于，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)和反相器(INV)，
所述电平位移电路包括输入端、第一输出端和第二输出端，反相器(INV)的输入端连接第一PMOS管(MP1)和第三PMOS管(MP3)的栅极以及所述输入端，其输出端连接第二PMOS管(MP2)和第四PMOS管(MP4)的栅极；
第五PMOS管(MP5)的栅极连接第三NMOS管(MN3)的栅极、第三PMOS管(MP3)、第四NMOS管(MN4)和第五NMOS管(MN5)的漏极以及所述第二输出端，其源极连接第一PMOS管(MP1)的漏极，其漏极连接第一NMOS管(MN1)的栅极和漏极以及第二NMOS管(MN2)的栅极；
第六PMOS管(MP6)的栅极连接第四NMOS管(MN4)的栅极、第二PMOS管(MP2)、第二NMOS管(MN2)和第三NMOS管(MN3)的漏极以及所述第一输出端，其源极连接第四PMOS管(MP4)的漏极，其漏极连接第六NMOS管(MN6)的栅极和漏极以及第五NMOS管(MN5)的栅极；
第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)的源极连接电源电压(VDD)，第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)和第六NMOS管(MN6)的源极接地(GND)。
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