[发明专利]一种高速低功耗电平位移电路

说明书

一种高速低功耗电平位移电路，属于电子电路技术领域。第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4形成的正反馈结构，当输入信号Vin从0跳变为1时，第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第四PMOS管MP4和第六PMOS管MP6实现瞬态增强；当输入信号从1跳变为0时，第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一PMOS管MP1和第五PMOS管MP5实现瞬态增强。本发明提供的电平位移电路中的瞬态增强结构能使输出跳转速度加快，同时在稳态下能利用低功耗锁存的方式保证电路的稳定性。

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种高速低功耗电平位移电路。

背景技术

在驱动电路中，电平位移电路是一种重要的电路。电平位移电路的作用是实现不同电平之间的转换，控制一种电平信号向另一种电平信号的转换。传统的电平位移电路在功耗、速度、稳定性等方面还不能很好的满足，存在例如功耗大、速度低、稳定性不高等问题。因此，研究出一种高速低功耗的电平位移电路具有重要的意义。

发明内容

本发明的目的是为了解决传统的电平位移电路存在的上述问题，提出了一种电平位移电路，具有高速、稳定、低功耗的优点。

本发明的技术方案为：

一种高速低功耗电平位移电路，包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6和反相器INV，

所述电平位移电路包括输入端、第一输出端和第二输出端，反相器INV的输入端连接第一PMOS管MP1和第三PMOS管MP3的栅极以及所述输入端，其输出端连接第二PMOS管MP2和第四PMOS管MP4的栅极；

第五PMOS管MP5的栅极连接第三NMOS管MN3的栅极、第三PMOS管MP3、第四NMOS管MN4和第五NMOS管MN5的漏极以及所述第二输出端，其源极连接第一PMOS管MP1的漏极，其漏极连接第一NMOS管MN1的栅极和漏极以及第二NMOS管MN2的栅极；

第六PMOS管MP6的栅极连接第四NMOS管MN4的栅极、第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2和第三NMOS管MN3的漏极以及所述第一输出端，其源极连接第四PMOS管MP4的漏极，其漏极连接第六NMOS管MN6的栅极和漏极以及第五NMOS管MN5的栅极；

第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的源极连接电源电压VDD，第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5和第六NMOS管MN6的源极接地GND。

本发明的有益效果为：本发明提出的电平位移电路在瞬态下具有高稳定性，且具有高速和低功耗的特点。

附图说明

图1为本发明提出的高速低功耗电平位移电路图。

图2为本发明提出的高速低功耗电平位移电路输入电平Vin从0跳变为1的第一阶段示意图。

图3为本发明提出的高速低功耗电平位移电路输入电平Vin从0跳变为1的第二阶段示意图。

图4为本发明提出的高速低功耗电平位移电路输入电平Vin从0跳变为1的第三阶段示意图。

图5为本发明提出的高速低功耗电平位移电路输入电平Vin从1跳变为0的第一阶段示意图。

图6为本发明提出的高速低功耗电平位移电路输入电平Vin从1跳变为0的第二阶段示意图。